سامسونگ تولید تراشه های ۳ نانومتری نسل اول را آغاز کرد

Samsung Foundry اعلام کرد که تولید انبوه تراشه های نسل اول خود را بر روی گره ۳ نانومتری آغاز کرده است. این بر اساس معماری جدید ترانزیستور GAA (Gate-All-Around) است که گام بعدی پس از FinFET است.

در مقایسه با ۵ نانومتر، تراشه‌های نسل اول ۳ نانومتری سامسونگ می‌توانند تا ۲۳ درصد عملکرد بهتر، تا ۴۵ درصد کاهش مصرف انرژی و ۱۶ درصد کاهش سطح را ارائه دهند.

نود ۳ نانومتری نسل دوم سامسونگ حتی چشمگیرتر خواهد بود – در مقایسه با ۵ نانومتری، سامسونگ ادعا می کند که ۵۰ درصد کاهش در مصرف انرژی، تا ۳۰ درصد بهبود عملکرد و ۳۵ درصد کاهش مساحت خواهد داشت.

سامسونگ اکنون از TSMC جلوتر است که انتظار می رود تولید انبوه تراشه های ۳ نانومتری را در نیمه دوم سال آغاز کند.

طراحی ترانزیستور Gate-All-Around (GAA) به کارخانه ریخته گری اجازه می دهد تا ترانزیستورها را کوچک کند، بدون اینکه به توانایی آنها در حمل جریان آسیبی وارد شود. طراحی GAAFET مورد استفاده در گره ۳ نانومتری، طعم MBCFET است که در تصویر زیر نشان داده شده است.

تکامل ترانزیستورهای سیلیکونی

منبع